2inch SiC ingot Dia50.8mmx10mmt 4H-N monokrîstal
Teknolojiya Mezinbûna Crystal SiC
Taybetmendiyên SiC mezinbûna yek krîstalan zehmet dike.Ev bi giranî ji ber vê yekê ye ku di zexta atmosferê de qonaxek şil bi rêjeya stokyometrî ya Si : C = 1: 1 tune ye, û ne gengaz e ku SiC bi rêbazên mezinbûnê yên gihîştî mezin bibe, wek rêbaza xêzkirina rasterast û rêbaza kemînê ya daketinê, ku bingehên sereke yên pîşesaziya nîvconductor ne.Ji hêla teorîkî ve, çareseriyek bi rêjeya stokyometrî ya Si : C = 1: 1 tenê dema ku zext ji 10E5atm mezintir be û germahî ji 3200℃ bilindtir be dikare were bidestxistin.Heya nuha, rêbazên seretayî rêbaza PVT, rêbaza qonaxa şil, û rêbaza depokirina kîmyewî ya vapor-qonaxa germahîya bilind pêk tîne.
Wafer û krîstalên SiC yên ku em pêşkêş dikin bi giranî ji hêla veguheztina vaporê ya laşî (PVT) ve têne mezin kirin, û jêrîn danasînek kurt a PVT ye:
Rêbaza veguheztina vaporê ya fizîkî (PVT) ji teknîka sublimasyonê ya qonaxa gazê ya ku Lely di sala 1955-an de îcad kiriye, ku tê de toza SiC di lûleyek grafît de tê danîn û heya germahiyek bilind tê germ kirin da ku toza SiC hilweşe û binav bibe, û dûv re jî grafît. lûle tê sar kirin, û pêkhateyên qonaxa gazê ya hilweşandî ya toza SiC wekî krîstalên SiC li derdora lûleya grafît têne razandin û krîstalîze kirin.Her çend ev rêbaz zehmet e ku meriv krîstalên SiC-ê yên mezin bi dest bixe û kontrolkirina pêvajoya hilweşandinê di hundurê lûleya grafîtê de dijwar e, ew ji lêkolînerên paşîn re ramanan peyda dike.
YM Tairov et al.li Rûsyayê têgeha krîstala tovê li ser vê bingehê destnîşan kir, ku pirsgirêka şikilê krîstalê ya bê kontrol û pozîsyona navokî ya krîstalên SiC çareser kir.Lêkolînerên paşerojê berdewam kirin ku çêtir bikin û di dawiyê de rêbaza veguhastina vaporê ya laşî (PVT) ya ku îro di pîşesaziyê de tê bikar anîn pêşve xistin.
Wekî rêbaza pêşîn a mezinbûna krîstalê ya SiC, PVT niha ji bo krîstalên SiC rêbaza mezinbûna herî sereke ye.Li gorî rêgezên din, ev rêbaz ji bo alavên mezinbûnê, pêvajoya mezinbûna hêsan, kontrolkirina bihêz, pêşkeftin û lêkolînek bêkêmasî hewcedariyên kêm kêm e, û berê jî pîşesaz bûye.
Diagrama berfireh
![asd (1)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-19.jpg)
![asd (2)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-29.jpg)
![asd (3)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-35.jpg)
![asd (4)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-42.jpg)