4 inç Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0.43mm 0.65mm
Applications
● Substrata mezinbûnê ji bo pêkhateyên III-V û II-VI.
● Elektronîk û optoelektronîk.
● sepanên IR.
● Silicon On Sapphire Integrated Circuit (SOS).
● Radyo Frequency Integrated Circuit (RFIC).
Di hilberîna LED-ê de, waferên yaqûtê wekî substratek ji bo mezinbûna krîstalên galium nitride (GaN) têne bikar anîn, ku dema ku tîrêjek elektrîkê tê sepandin ronahiyê derdixin.Sapphire ji bo mezinbûna GaN materyalek substratê ya îdeal e ji ber ku ew xwedan avahiyek krîstal û hevsengiya berfirehbûna termal a GaN-ê ye, ku kêmasiyan kêm dike û kalîteya krîstal çêtir dike.
Di optîkê de, waferên yaqûtê ji ber şefafî û serhişkiya xwe ya zêde, li hawîrdorên tansiyona bilind û germahîya bilind, û hem jî di pergalên wênekêşana infrasor de wekî pencere û lens têne bikar anîn.
Specification
| Şanî | 4-inch C-balafir (0001) 650μm Sapphire Wafers | |
| Materyalên Crystal | 99,999%, Paqijiya Bilind, Monokrîstal Al2O3 | |
| Sinif | Serokwezîr, Epi-Amade ye | |
| Orientation Surface | C-balafir (0001) | |
| C-balafira ji goşeyê ber bi M-xebatê 0,2 +/- 0,1° | ||
| Çap | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Qewîtî | 650 μm +/- 25 μm | |
| Orientation Flat Seretayî | A-balafir(11-20) +/- 0,2° | |
| Length Flat seretayî | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Single Side Polished | Rûyê Pêşî | Epi-polished, Ra < 0,2 nm (ji hêla AFM) |
| (SSP) | Rûyê Paşê | Erdê xweş, Ra = 0,8 μm heta 1,2 μm |
| Double Side Polished | Rûyê Pêşî | Epi-polished, Ra < 0,2 nm (ji hêla AFM) |
| (DSP) | Rûyê Paşê | Epi-polished, Ra < 0,2 nm (ji hêla AFM) |
| TTV | < 20 μm | |
| GIRÊK | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| Paqijkirin / Pakkirin | Paqijkirin û pakkirina valahiya pola 100, | |
| 25 perçe di pakêtek kasetek an pakkirina yek perçeyê de. | ||
Packing & Shipping
Bi gelemperî, em pakêtê ji hêla 25 pcs qutiya kasetê ve peyda dikin;Di heman demê de em dikarin li gorî hewcedariya xerîdar di binê jûreya paqijkirina pola 100 de bi konteynera yek waferê jî pak bikin.
Diagrama berfireh
