Wafera silîkonê ya 6 înç a Tîpa N an Tîpa P ya CZ Si

Danasîna Kurt:

Waferên silîkonî yên 6 înç materyalek substratê silîkonî ya hevpar e ku bi berfirehî di çêkirina çerxên entegre de tê bikar anîn. Ev wafer ji bo çêkirina cûrbecûr çerxên entegre, di nav de mîkroprosesor, çîpên bîranînê, sensor û cîhazên din ên elektronîkî, têne pêvajokirin û paqijkirin. Avantajên waferên silîkonî yên 6 înç rûbera wan a mezin, îhtîmala germî ya baş û lêçûna nisbeten kêm e. Ev taybetmendî waferên silîkonî yên 6 înç dikin yek ji hilbijartinên îdeal ji bo çêkirina çerxên entegre.

Ji me re e-nameyek bişînin

Hûrguliyên Berhemê

Etîketên Berheman

Danasîna qutiya waferê

Taybetmendiyên sereke yên wafera silîkonê:

Mezinbûna wafera silîkonê ya 6 înç: CZ, MCZ, FZ.

6 Wafla silîkonê Pola: Seretayî, Test, Muktel, hwd.

Çatra wafera silîkonê ya 6 înç: 6 înç/150 mm.

Stûriya wafla silîkonê ya 6 înç: 200~ 3000um.

Dawîya wafla silîkonê ya 6 înç: Wekî birîn, lapkirî, gravkirî, SSP, DSP, û hwd.

Rêzkirina wafera silîkonê ya 6 înç: (100) (111) (110) (531) (553) hwd.

Wafla silîkonê ya 6 înç. Qutkirina vekirî: heta 4 pileyan.

Tîpa wafla silîkonî ya 6 înç/Dopant: P/B, N/Fosfîk, N/As, N/Sb, Xwezayî.

Berxwedana wafera silîkonê ya 6 înç: CZ/MCZ: Ji 0.001 heta 1000 ohm-cm. FZ: heta 20k ohm-cm.

Fîlmên zirav ên wafera silîkonê yên 6 înç: (a)PVD: Al, Cu, Au, Cr, Si, Ni;, Fe, Mo. hwd., Qalindahiya pêçanê heta 20.000A/5%.

(b) LPCVD/PECVD: Oksîd, Nîtrîd, siC, hwd., Qalindahiya pêçanê heta 200.000A/3%.

Pêvajoyên wafla silîkonê ya 6 înç: a.DSP, ultra zirav, ultra dûz, hwd.

b. Kêmkirin, paşveçûn, kubkirin, hwd. c. MEMS.

Ji sala 2010an vir ve, Shanghai XKH Material Tech. Co.,Ltd pabend e ku ji bo xerîdaran çareseriyên berfireh ên Waferên Silicon ên wafer ên 4 înç peyda bike, ji waferên asta debuggingê Dummy Wafer, waferên asta ceribandinê Test Wafer, bigire heya waferên asta hilberê Prime Wafer, û her weha waferên taybetî, waferên Oksîdê Oxide, waferên Nîtrîd Si3N4, waferên Aluminium Plated, waferên silicon ên sifir Plated, SOI Wafer, MEMS Glass, waferên ultra-stûr û ultra-dûz ên xwerû, û hwd., bi mezinahiyên di navbera 50mm-300mm de ne, û em dikarin waferên nîvconductor bi cilandina yek-alî/du-alî, ziravkirin, kubkirin, MEMS û karûbarên hilberandin û xwerûkirinê yên din peyda bikin.