Waferên SiC nîvconductors in ku ji karbîd silicon têne çêkirin.Ev materyal di 1893 de hate pêşve xistin û ji bo cûrbecûr sepanan îdeal e.Bi taybetî ji bo diodên Schottky, dîodên Schottky yên astengiya hevberdanê, guheztin û transîstorên bandora zeviyê ya metal-oksît-nîvconductor minasib e.Ji ber serhişkiya xwe ya bilind, ew ji bo pêkhateyên elektronîkî yên hêzê bijarek hêja ye.
Heya nuha, du celebên sereke yên waferên SiC hene.Ya yekem waferek polandî ye, ku waferek karbîd a silicon yekane ye.Ew ji krîstalên SiC yên paqijiya bilind hatî çêkirin û dikare bi 100mm an 150mm be.Ew di amûrên elektronîkî yên hêza bilind de tê bikar anîn.Cûreya duyemîn wafera karbîd a siliconê ya krîstal epitaxial e.Ev celeb wafer bi lê zêdekirina yek qatek krîstalên karbîd silicon li ser rûyê erdê tê çêkirin.Ev rêbaz hewceyê kontrolek rastîn a qalindahiya materyalê hewce dike û wekî epîtaksiya N-type tê zanîn.
Tîpa din karbîd beta silicon e.Beta SiC di germahiyên ji 1700 pileya Celsius de tê hilberandin.Karbîdên Alpha yên herî gelemperî ne û xwedan avahiyek krîstalek hexagonal e ku mîna wurtzite ye.Forma beta dişibihe elmasê û di hin sepanan de tê bikar anîn.Ji bo hilberên nîv-qediyayî yên hêza wesayîta elektrîkê her gav bijareya yekem e.Gelek dabînkerên silicon carbide wafer-ê yên sêyemîn niha li ser vê materyalê nû dixebitin.
ZMSH SiC wafers materyalên nîvconductor pir populer in.Ew materyalek nîvconductor-kalîteya bilind e ku ji bo gelek serlêdanan baş e.Waferên karbîd silicon ZMSH ji bo cûrbecûr amûrên elektronîkî materyalek pir bikêr e.ZMSH cûrbecûr wafer û substratên SiC-ya kalîteya bilind peyda dike.Ew di formên N-type û nîv-îzolekirî de hene.
2---Silicon Carbide: Ber bi serdemek nû ya waferan ve
Taybetmendiyên fizîkî û taybetmendiyên karbîdê silicon
Karbîd silicon xwedan avahiyek krîstalek taybetî ye, ku avahiyek hexagonal a nêzîk-paqijkirî ya mîna elmas bikar tîne.Ev avahî dihêle ku karbîdê silicon xwedan guheztina germî ya hêja û berxwedana germahiya bilind be.Li gorî materyalên siliconê yên kevneşopî, karbîdê silicon xwedan ferehiya bandê ya mezintir e, ku cîhê bandê elektronîkî bilindtir peyda dike, di encamê de tevgera elektronek bilindtir û heyama lehiyê kêmtir dibe.Digel vê yekê, karbîdê silicon di heman demê de xwedan leza hilkişîna têrbûna elektronê û berxwedanek kêmtir a materyalê bixwe ye, ji bo serîlêdanên hêza bilind performansa çêtir peyda dike.
Dozên serîlêdanê û perspektîfên waferên karbîd ên silicon
Serîlêdanên elektronîkî yên hêzê
Wafera karbîdê silicon di warê elektronîkî ya hêzê de perspektîfek serîlêdana berfireh heye.Ji ber tevgera wan a elektronek bilind û guheztina germî ya hêja, waferên SIC dikarin werin bikar anîn da ku amûrên veguheztina dendika-hêza bilind, wek modulên hêzê yên ji bo wesayîtên elektrîkî û guhezkerên rojê werin çêkirin.Stabiliya germahiya bilind a waferên karbîd ên silicon dihêle ku van amûran di hawîrdorên germahiya bilind de bixebitin, karûbar û pêbaweriyek mezintir peyda dike.
Sepanên optoelektronîk
Di warê cîhazên optoelektronîkî de, waferên karbîd ên silicon avantajên xwe yên bêhempa nîşan didin.Materyalên karbîd ên silicon xwedan taybetmendiyên valahiya bandê ya berfireh e, ku ew dihêle ku di cîhazên optoelektronîkî de enerjiya fotononê ya bilind û windabûna ronahiya kêm bi dest bixe.Waferên karbîd ên silicon dikare ji bo amadekirina amûrên ragihandinê yên bilez, fotodetektor û lazeran were bikar anîn.Germahiya wê ya germî ya hêja û kêmbûna kêmasiya krîstal wê ji bo amadekirina amûrên optoelektronîkî yên bi kalîte îdeal dike.
Nîr
Bi zêdebûna daxwaziya ji bo amûrên elektronîkî yên bi performansa bilind re, waferên karbîdê silicon wekî materyalek xwedan taybetmendiyên hêja û potansiyela serîlêdana berfireh xwedan pêşerojek sozdar e.Bi pêşveçûna domdar a teknolojiya amadekirinê û kêmkirina lêçûnê, dê serîlêdana bazirganî ya waferên karbîd ên silicon were pêşve xistin.Tê payîn ku di çend salên pêş de, waferên karbîd ên silicon hêdî hêdî bikevin bazarê û ji bo serîlêdanên hêza bilind, frekansa bilind û germahiya bilind bibin bijareya sereke.
3---Analîzkirina kûr a bazarê û meylên teknolojiyê yên wafer SiC
Analîzek kûr a ajokarên bazara waferê ya silicon carbide (SiC).
Pêşveçûna bazara waferê ya silicon carbide (SiC) ji hêla çend faktorên sereke ve tê bandor kirin, û analîzek kûr a bandora van faktoran li ser sûkê krîtîk e.Li vir hinek ajokarên bazarê yên sereke hene:
Teserûfkirina enerjiyê û parastina jîngehê: Taybetmendiyên performansa bilind û xerckirina hêzê ya kêm ên materyalên karbîdê silicon ew di warê teserûfa enerjiyê û parastina jîngehê de populer dike.Daxwaza ji bo wesayîtên elektrîkê, guhastkerên rojê û amûrên din ên veguheztina enerjiyê mezinbûna bazarê ya waferên karbîd ên silicon dimeşîne ji ber ku ew arîkariya kêmkirina bermahiyên enerjiyê dike.
Serîlêdanên Elektronîkên Hêzê: Karbîd a silicon di sepanên elektronîk ên hêzê de pêş dikeve û dikare di elektronîkî ya hêzê de di bin zexta bilind û hawîrdorên germahiya bilind de were bikar anîn.Bi populerbûna enerjiya nûvekirî û pêşvebirina veguheztina hêza elektrîkê, daxwaziya ji bo waferên karbîdê silicon di bazara elektronîkî ya hêzê de her ku diçe zêde dibe.
Analîzek berfireh a trenda pêşkeftina teknolojiya hilberîna pêşerojê ya sic wafers
Hilberîna girseyî û kêmkirina lêçûnê: Hilberîna sic ya pêşerojê dê bêtir li ser hilberîna girseyî û kêmkirina lêçûn hûr bibe.Di vê yekê de teknîkên pêşkeftî yên mezinbûnê yên wekî depokirina buhara kîmyewî (CVD) û depokirina buhara laşî (PVD) vedihewîne da ku hilberîneriyê zêde bike û lêçûnên hilberînê kêm bike.Wekî din, pejirandina pêvajoyên hilberîna hişmend û otomatîkî tê çaverê kirin ku karîgeriyê bêtir baştir bike.
Mezinahî û avahiya nû ya waferê: Dibe ku mezinahî û avahiya waferên SiC di pêşerojê de biguhezîne da ku hewcedariyên serîlêdanên cihêreng bicîh bîne.Dibe ku ev yek waferên mezntir, strukturên heterojen, an pêlên pirreng hebin da ku bêtir nermbûna sêwiranê û vebijarkên performansê peyda bikin.
Karbidestiya Enerjiyê û Hilberîna Kesk: Çêkirina waferên SiC di pêşerojê de dê giraniyek mezin bide ser karbidestiya enerjiyê û hilberîna kesk.Kargehên ku ji hêla enerjiya nûvekirî, materyalên kesk, vezîvirandina çopê û pêvajoyên hilberîna kêm-karbonê ve têne hêz kirin dê di hilberînê de bibin trend.
Dema şandinê: Jan-19-2024