12 inç Dia300x1.0mmt Sapphire Wafer Substrate C-Plane SSP/DSP

Kurte Danasîn:

Bi pêşveçûna zanist û teknolojiyê re, ji bo mezinahî û kalîteya materyalên krîstal ên yaqûtê hewcedariyên nû derketine pêş.Naha, digel pêşkeftina bilez a ronahiya nîvconductor û serîlêdanên din ên nûjen, bazara krîstalên yaqûtê yên kêm lêçûn, qalîteya bilind, mezinahiya mezin bi rengek berbiçav berfireh dibe.

E-nameyê ji me re bişînin

Detail Product

Tags Product

12inch Sapphire Substrate Rewşa Bazara

Heya nuha, yaqûtê du karanîna sereke hene, yek materyalê substratê ye, ku bi giranî materyalê substratê LED-ê ye, ya din mêldarê saetê, hewavanî, hewavanî, materyalê pencereya hilberîna taybetî ye.

Her çend silicon carbide, silicon û galium nitride ji bilî yaqûtê wekî substrate ji bo led-an jî peyda dibin, hilberîna girseyî ji ber lêçûn û hin tengahiyên teknîkî yên nehatî çareser kirin hîn jî ne gengaz e.Substrata Sapphire di nav pêşkeftina teknîkî ya van salên dawî de, hevahengiya torê, rêgirtina elektrîkê, taybetmendiyên mekanîkî, guheztina germê û taybetmendiyên din pir çêtir û pêşkeftî bûne, avantaja lêçûn-bandor girîng e, ji ber vê yekê yaqût bûye materyalê substratê yê herî gihîştî û stabîl. di pîşesaziya LED-ê de, di sûkê de bi berfirehî hatî bikar anîn, para bazarê bi qasî 90%.

Taybetmendiya 12 Inch Sapphire Wafer Substrate

1. Rûberên substratê yên yaqûtê xwedan jimarek pirtikên pir kêm in, bi kêmtirî 50 pariyên 0,3 mîkron an mezintir serê 2 înç di rêza mezinahiya 2 û 8 înç de, û metalên sereke (K, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni , Cu, Zn) li jêr 2E10/cm2.Di heman demê de tê payîn ku materyalê bingehîn 12-inch jî bigihîje vê polê.
2. Dikare ji bo pêvajoya çêkirina nîvconductor 12-inch (paletên veguheztina nav-cîhaz) û wekî substratek ji bo girêdanê wekî waferek hilgirê were bikar anîn.
3. Dikare şeklê rûbera xêzkirî û vekêşk kontrol bike.
Materyal: Al2O3 yekkrîstalek paqijiya bilind, wafera yaqûtê.
Qalîteya LED-ê, bê bilbil, şikestî, cêwî, rêz, bê reng..hwd.

12 inch Sapphire Wafers

Orientation	C-balafir<0001> +/- 1 deg.
Çap	300,0 +/-0,25 mm
Qewîtî	1.0 +/-25um
Notch	Notch an Flat
TTV	<50um
GIRÊK	<50um
Edges	Çemê parastinê
Aliyê pêşîn - 80/50 paqijkirî
Nîşana laser	Netû
Packaging	Single box carrier wafer
Aliyê pêşiyê Epi amade ye paqijkirî (Ra <0,3nm)
Aliyê piştê Epi amade ye ku pîlandî ye (Ra <0,3nm)