3inch Dia76.2mm SiC substratên HPSI Prime Lêkolîn û pola Dummy

Substrata rêkûpêk: ji bergiriya 15 ~ 30mΩ-cm substrata karbîdê silicon vedibêje.Wafera epîtaksial a karbîd a siliconê ku ji jêrzemîna karbîd a siliconê guhêrbar hatî mezin kirin dikare bêtir di nav amûrên hêzê de were çêkirin, ku bi berfirehî di wesayîtên enerjiya nû, fotovoltaîk, torên hişmend, û veguheztina hesinî de têne bikar anîn.

Substrata nîv-îzolasyon tê wateya berxwedaniya ku ji 100000Ω-cm substrata karbîdê siliconê bilindtir e, ku bi piranî di çêkirina amûrên frekansa radyoyê ya mîkro-pêla galium nitride de tê bikar anîn, bingeha qada ragihandina bêtêl e.

Ew di warê ragihandina bêtêlê de pêkhateyek bingehîn e.

Substratên karbîd ên silicon guhêrbar û nîv-îzolasyon di cûrbecûr cîhazên elektronîkî û amûrên hêzê de têne bikar anîn, di nav de, lê bi van tiştan re ne sînorkirî ne:

Amûrên nîvconductor-a-hêza bilind (rêvebir): Substratên karbîd ên silicon xwedan hêza zeviya hilweşandinê û guheztina germî ya bilind in, û ji bo hilberîna transîstor û dîodên hêza hêza bilind û amûrên din maqûl in.

Amûrên elektronîkî yên RF (nîv îzolekirî): Substratên Silicon Carbide xwedan leza guheztinê û tolerasyona hêzê ya bilind in, ji bo serîlêdanên wekî amplifikatorên hêza RF, amûrên mîkropêl û guheztinên frekansa bilind maqûl in.

Amûrên optoelektronîkî (nîv îzolekirî): Substratên karbîd ên silicon xwedan valahiyek enerjiyê ya berfireh û aramiya germî ya bilind e, ji bo çêkirina fotodiod, hucreyên rojê û dîodên lazer û amûrên din maqûl in.

Sensorên germahiyê (rêvebir): Substratên karbîd ên silicon xwedan guheztina germî û aramiya germî ya bilind in, ji bo hilberîna senzorên germahiya bilind û amûrên pîvandina germahiyê maqûl in.

Pêvajoya hilberandin û serîlêdana karbîdên siliconê yên birêkûpêk û nîv-îzolasyon xwedan qadek berfireh û potansiyelan e, ji bo pêşkeftina amûrên elektronîkî û amûrên hêzê îmkanên nû peyda dike.