Dia300x1.0mmt Stûrahiya Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP
Danasîna qutiya waferê
| Materyalên Crystal | 99,999% Al2O3, Paqijiya Bilind, Monokrîstalîn, Al2O3 | |||
| Qalîteya krîstal | Tevlîbûn, nîşaneyên blokê, cêwî, Reng, mîkro-bubek û navendên belavbûnê tune ne | |||
| Çap | 2inch | 3 inch | 4 inch | 6 inch ~ 12 inch |
| 50,8± 0,1 mm | 76,2±0,2mm | 100±0.3mm | Li gorî bendên hilberîna standard | |
| Qewîtî | 430±15 μm | 550±15 μm | 650±20 μm | Ji hêla xerîdar ve dikare were xweş kirin |
| Orientation | Balafira C (0001) ber bi balafira M (1-100) an balafira A(1 1-2 0) 0,2±0,1° /0,3±0,1°, balafira R (1-1 0 2), balafira A (1 1-2 0 ), M-firok (1-1 0 0), Her Orientation , Her goşe | |||
| Dirêjahiya daîreya seretayî | 16.0±1mm | 22.0±1.0mm | 32,5±1,5 mm | Li gorî bendên hilberîna standard |
| Orientation daîre seretayî | A-firoke (1 1-2 0 ) ± 0,2° | |||
| TTV | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤20 μm | ≤30 μm |
| LTV | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤20 μm | ≤30 μm |
| TIR | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤20 μm | ≤30 μm |
| GIRÊK | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤20 μm | ≤30 μm |
| Warp | ≤10 μm | ≤15 μm | ≤20 μm | ≤30 μm |
| Rûyê Pêşî | Epi-Polished (Ra<0.2nm) | |||
* Bow: Veguhastina xala navendê ya rûbera navîn a waferek azad, ne-qelkirî ji balafira referansê, ku balafira referansê bi sê goşeyên sêgoşeyek hevalî tê diyar kirin.
*Warp: Cûdahiya di navbera dûrahiya herî zêde û hindiktirîn a rûbera navîn a waferek belaş, neqeliqî ji balafira referansê ya ku li jor hatî destnîşan kirin.
Hilber û karûbarên kalîteya bilind ji bo cîhazên nîv-conductor nifşê din û mezinbûna epitaxial:
Rêjeya bilind a zexmbûnê (TTV-ya kontrolkirî, kevan, warp hwd.)
Paqijkirina bi kalîte (paqijbûna parçikê kêm, qirêjiya kêm metal)
Sondakirina substratê, xêzkirin, birrîn, û paqijkirina piştê
Girêdana daneyan wekî paqijî û şeklê substratê (vebijarkî)
Ger hewcedariya we bi substratên yaqûtê hebe, ji kerema xwe re têkilî:
poste:eric@xkh-semitech.com+86 158 0194 2596 /doris@xkh-semitech.com+86 187 0175 6522
Em ê di zûtirîn dem de li we vegerin!
Diagrama berfireh
