Silicon-On-Insulator Substrate SOI wafer sê qat ji bo Mîkroelektronîk û Frekansa Radyoyê

Danasîna meya pêşkeftî ya Silicon-On-Insulator (SOI), ku bi hûrgulî bi sê qatên cihêreng ve hatî çêkirin, serîlêdanên mîkroelektronîk û frekansa radyoyê (RF) şoreş dike.Ev substrata nûjen qatek siliconê ya jorîn, qatek oksîdê îzolekirinê, û jêrzemîna siliconê ya jêrîn bi hev re tîne da ku performansek bêhempa û pirrengî peyda bike.

Ji bo daxwazên mîkroelektronîkên nûjen hatine sêwirandin, wafera meya SOI bingehek zexm ji bo çêkirina çerxên yekbûyî yên tevlihev (ICs) bi leza bilind, karbidestiya hêzê, û pêbawer peyda dike.Tebeqeya siliconê ya jorîn yekbûna bêkêmasî ya hêmanên elektronîkî yên tevlihev pêk tîne, dema ku tebeqeya oksîdê îzolekirî kapasîteya parazît kêm dike, performansa giştî ya cîhazê zêde dike.

Di warê sepanên RF de, wafera meya SOI bi kapasîteya xweya parazît a kêm, voltaja hilweşîna bilind, û taybetmendiyên îzolekirinê yên hêja bi pêş dikeve.Ji bo guheztinên RF, amplifikator, fîlter û hêmanên din ên RF-ê îdeal e, ev substrate performansa çêtirîn di pergalên ragihandina bêtêl, pergalên radarê û hêj bêtir de misoger dike.

Digel vê yekê, tolerasyona tîrêjê ya xwerû ya wafera meya SOI wê ji bo sepanên asmanî û berevaniyê îdeal dike, ku pêbaweriya di hawîrdorên dijwar de krîtîk e.Avakirina wê ya zexm û taybetmendiyên performansa awarte di şert û mercên giran de jî operasyona domdar garantî dike.

Taybetmendiyên sereke:

Mîmariya Sê Qat: Tebeqeya siliconê ya jorîn, tebeqeya oksîtê ya îzolekirinê, û jêrzemîna siliconê ya jêrîn.

Performansa Mîkroelektronîkî ya Bilind: Çêkirina IC-yên pêşkeftî bi leza zêde û karbidestiya hêzê çalak dike.

Performansa RF-ya Berbiçav: Kapasîteya parazît a kêm, voltaja hilweşîna bilind, û taybetmendiyên îzolekirinê yên bilind ên ji bo cîhazên RF.

Pêbaweriya Aerospace-Grade: Tolerasyona tîrêjê ya xwerû pêbaweriyê di hawîrdorên dijwar de misoger dike.

Serlêdanên Berbiçav: Ji bo cûrbecûr pîşesazî, di nav de telekomunikasyon, asmanî, berevanî, û hêj bêtir maqûl e.

Nifşa din a mîkroelektronîk û teknolojiya RF-ê bi wafera meya pêşkeftî ya Silicon-On-Insulator (SOI) re biceribînin.Bi çareseriya meya jêrzemînê ya pêşkeftî re îmkanên nû yên nûbûnê vekin û di serîlêdanên xwe de pêşkeftinê bimeşînin.