2 înç Wafers Silicon Carbide Wafers 6H an 4H N-type an Nîv-Îzolasyon Substrates SiC

Waferên Silicon Carbide Wafers 2 înç 6H an 4H N-tîp an Binbexşên SiC Nîv-Îzolker Wêneyê Taybetmendî

Kurte Danasîn:

Silicon carbide (SiC), ku wekî carborundum jî tê zanîn, nîvconduktorek e ku sîlicon û karbonê bi formula kîmyewî SiC dihewîne.SiC di cîhazên elektronîkî yên nîvconductor de ku di germahiyên bilind an voltaja bilind de, an jî herduyan de kar dikin de tê bikar anîn.SiC di heman demê de yek ji hêmanên girîng ên LED-ê ye, ew substratek populer e ji bo mezinkirina cîhazên GaN, û di heman demê de wekî belavkerek germê jî di nav bilind de kar dike. LEDs hêza.

E-nameyê ji me re bişînin

Detail Product

Tags Product

Berhemên Pêşniyar kirin

4H SiC wafer N-type

Diameter: 2 inch 50.8mm |4 inç 100mm |6 inch 150mm

Orientation: ji tehtê 4.0˚ ber bi <1120> ± 0.5˚

Berxwedan: < 0,1 ohm.cm

Zehmetî: Si-face CMP Ra <0.5nm, C-rûyê polayê optîk Ra <1 nm

4H SiC wafer Semi-insulating

Diameter: 2 inch 50.8mm |4 inç 100mm |6 inch 150mm

Orientation: li ser teşe {0001} ± 0,25˚

Berxwedan: >1E5 ohm.cm

Zehmetî: Si-face CMP Ra <0.5nm, C-rûyê polayê optîk Ra <1 nm

1. Binesaziya 5G - dabînkirina hêza ragihandinê

Dabînkirina hêza ragihandinê ji bo ragihandina server û stasyona bingehîn bingeha enerjiyê ye.Ew ji bo amûrên veguheztinê yên cihêreng enerjiya elektrîkê peyda dike da ku xebata normal ya pergala ragihandinê peyda bike.

2. Barkirina barkirina wesayîtên enerjiyê yên nû -- Modula hêzê ya pileyê barkirinê

Karbidestiya bilind û hêza bilind a modula hêza barkirinê dikare bi karanîna karbîda siliconê di modula hêza barkirinê de were fam kirin, da ku leza barkirinê baştir bike û lêçûna barkirinê kêm bike.

3. Navenda daneya mezin, Înterneta Pîşesazî -- dabînkirina hêza serverê

Dabînkirina hêza serverê pirtûkxaneya enerjiya serverê ye.Pêşkêşkar hêzê peyda dike da ku xebata normal ya pergala serverê bicîh bike.Bikaranîna hêmanên hêza silicon carbide di dabînkirina hêza serverê de dikare dendika hêz û karbidestiya dabînkirina hêza serverê baştir bike, qebareya navenda daneyê bi tevahî kêm bike, lêçûna giştî ya avakirina navenda daneyê kêm bike, û bigihîje jîngehê bilind. kêrhatîya bicîanîn.

4. Uhv - Serîlêdana veguheztina maqûl ya veguheztina şikestî ya DC

5. Veguhestina rêhesinê ya bilez û navbajarî - veguherînerên kêşanê, veguherînerên elektronîkî yên hêzê, veguherînerên alîkar, dabînkirina hêza alîkar