Insulatorê waferê SOI li ser waferên silicon 8-inç û 6-inch SOI (Silicon-On-Insulator)

Insulatora waferê ya SOI li ser waferên silicon 8-inç û 6-înç SOI (Silicon-On-Insulator) Wêne Taybetmendî

Kurte Danasîn:

Wafera Silicon-On-Insulator (SOI), ku ji sê tebeqeyên cihêreng pêk tê, di qada mîkroelektronîk û sepanên frekansa radyoyê (RF) de wekî kevirek bingehîn derdikeve holê. Ev abstract taybetmendiyên bingehîn û serîlêdanên cihêreng ên vê substratê nûjen eşkere dike.

E-nameyê ji me re bişînin

Detail Product

Tags Product

Danasîna qutiya waferê

Ji qatek siliconê ya jorîn, qatek oksîdê îzolekirinê, û substratek siliconê ya jêrîn pêk tê, wafera SOI ya sê-tebeq di warên mîkroelektronîk û RF-ê de avantajên bêhempa pêşkêşî dike. Tebeqeya siliconê ya jorîn, ku sîlîkona krîstalîn a kalîteya bilind vedihewîne, yekbûna hêmanên elektronîkî yên tevlihev bi rastbûn û bikêrhatî hêsan dike. Tebeqeya oksîtê ya îzolekirinê, ku bi hûrgulî hatî çêkirin da ku kapasîteya parazît kêm bike, bi kêmkirina destwerdana elektrîkî ya nedilxwaz performansa cîhazê zêde dike. Substrata siliconê ya jêrîn piştgirîya mekanîkî peyda dike û lihevhatina bi teknolojiyên hilberîna siliconê yên heyî re misoger dike.

Di mîkroelektronîkê de, SOI wafer wekî bingehek ji bo çêkirina çerxên yekbûyî yên pêşkeftî (IC) bi leza bilind, karbidestiya hêzê, û pêbaweriyê re xizmet dike. Mîmariya wê ya sê-qat rê dide pêşkeftina amûrên nîvconduktorê yên tevlihev ên wekî CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) IC, MEMS (Pergalên Mîkro-Elektro-Mekanîkî), û amûrên hêzê.

Di qada RF de, SOI wafer di sêwirandin û pêkanîna cîhaz û pergalên RF de performansa berbiçav nîşan dide. Kapasîteya wê ya parazît a kêm, voltaja hilweşînê ya bilind, û taybetmendiyên îzolekirinê yên hêja, wê ji bo guheztinên RF, amplifikator, fîlter, û hêmanên din ên RF-ê bingehek îdeal dike. Wekî din, tolerasyona tîrêjê ya xwerû ya wafera SOI wê ji bo sepanên asmanî û berevaniyê yên ku pêbaweriya di hawîrdorên dijwar de girîng e, minasib dike.

Digel vê yekê, pirrengiya wafera SOI berbi teknolojiyên nûjen ên wekî çerxên yekbûyî yên fotonîkî (PIC) ve dirêj dibe, ku li wir yekbûna hêmanên optîkî û elektronîkî li ser yek substrate soz dide ji bo pergalên ragihandinê yên têlefonê û daneyê yên nifşê din.

Bi kurtahî, wafera sê-qat Silicon-On-Insulator (SOI) li pêşiya nûjeniyê di mîkroelektronîk û sepanên RF de radiweste. Mîmariya wê ya bêhempa û taybetmendiyên performansa awarte rê li ber pêşkeftinên di pîşesaziyên cihêreng de vedike, pêşkeftinê dimeşîne û paşeroja teknolojiyê şekil dike.