4 înç SiC Wafers 6H Bingehên SiC Nîv-Îzolker ên seretayî, lêkolînî, û pola derewîn

4 înç SiC Wafers 6H Nîv-Îzolker Binbexşên SiC yên seretayî, lêkolînî, û pola derewîn Wêneyê Taybet

Kurte Danasîn:

Substrata karbîdê siliconê ya nîv-îzolekirî piştî mezinbûna krîstala karbîd a siliconê ya nîv-îzolekirî ji hêla birrîn, rijandin, paqijkirin, paqijkirin û teknolojiyên din ên pêvajoyê ve tê çêkirin.Qatek an qatek krîstal a pirreng li ser substratê tê mezin kirin ku hewcedariyên kalîteyê wekî epitaxy bicîh tîne, û dûv re cîhaza RF-ya mîkrojenê bi berhevkirina sêwirana dorpêçê û pakkirinê tê çêkirin.Wekî 2inch 3inch 4incgh 6inch 8 inch pîşesazî, lêkolîn û ceribandina pola nîv-îzolekirî ya karbîd a silicon yek krîstal substrat hene.

E-nameyê ji me re bişînin

Detail Product

Tags Product

Specification Product

Sinif			Nota Hilberîna MPD ya Zero (Pola Z)			Nota Hilberîna Standard (Pola P)		Nota Dummy (Pola D)
Çap			99,5 mm~ 100,0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
Orientation Wafer			Texne : 4,0° ber bi< 1120 > ±0,5° ji bo 4H-N, Li ser texê : <0001>±0,5° ji bo 4H-SI
	4H-SI		≤1cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Orientation Flat Seretayî		{10-10} ±5.0°
Length Flat seretayî		32,5 mm±2,0 mm
Duyemîn Flat Length		18,0 mm±2,0 mm
Orientation Flat Duyemîn		Rûyê silicon: 90 ° CW.ji daîreya Serokwezîr ± 5,0°
Edge Exclusion		3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Roughness			C rû				Polandî		Ra≤1 nm
			Si rû	CMP	Ra≤0.2 nm					Ra≤0.5 nm
Bi Ronahiya Hêzdar a Bilind Diqelişe		Netû						Dirêjahiya berhevkirî ≤ 10 mm, yekane dirêjî≤2 mm
Plateyên Hex Bi Ronahiya Hêzdar a Bilind		Qada kombûyî ≤0,05%						Qada kombûyî ≤0,1%
Herêmên Polytype Bi Ronahiya Zêdetir		Netû						Qada kombûyî≤3%
Têkiliyên Karbonê yên Visual		Qada kombûyî ≤0,05%						Qada kombûyî ≤3%
Bi Ronahiya Zehmetkêşiya Bilind Xaşiqitîne Rûyê Silicon		Netû						Dirêjahiya berhevkirî≤1＊Dîrêjê waferê
Edge Chips High By Intensity Light		Bi firehî û kûrahî ≥0,2 mm destûr nayê dayîn						5 destûr, her yek ≤1 mm
Têkçûna Rûyê Silicon Bi Hêzbûna Bilind		Netû
Packaging		Kasetek Pir-wafer An jî Konteynirê Yekane Wafer