4H-N 8 înç SiC substrate wafer Silicon Carbide Dummy Lêkolîn pola 500um stûriya

Dema ku karbîd silicon (SiC) wafer û substrat hilbijêrin, çend faktor hene ku meriv li ber çavan bigire.Li vir çend pîvanên girîng hene:

Tîpa Materyal: Cûreya materyalê SiC ku li gorî serlêdana we ye, wekî 4H-SiC an 6H-SiC diyar bikin.Struktura krîstal a ku herî zêde tê bikar anîn 4H-SiC e.

Tîpa Dopîngê: Biryarê bidin ka hûn hewceyê substratek SiC ya dopîngkirî an ne-dopkirî ne.Cûreyên dopîngê yên hevpar tîpa N (n-dopkirî) an tîpa P (p-dopkirî) ne, li gorî hewcedariyên weyên taybetî ve girêdayî ne.

Qalîteya Krîstal: Qalîteya krîstal a wafer an substratên SiC binirxînin.Qalîteya xwestinê ji hêla pîvanên wekî hejmara kêmasiyan, rêgeziya krîstalografî, û hişkiya rûxê ve tê destnîşankirin.

Diameter Wafer: Li gorî serîlêdana xwe mezinahiya waferê ya guncan hilbijêrin.Mezinahiyên hevpar 2 inches, 3 inches, 4 inches, û 6 inches hene.Çi qas pîvaz mezintir be, hûn dikarin ji her waferê bêtir berberiyê bistînin.

Stûrahî: Qelindahiya xwestî ya pîvaz an substratên SiC bihesibînin.Vebijarkên stûrbûna tîpîk ji çend mîkrometreyan heya çend sed mîkrometreyan diguhere.

Orientation: Oryantasyona krîstalografî ya ku bi hewcedariyên serîlêdana we re têkildar e destnîşan bikin.Arasteyên hevpar (0001) ji bo 4H-SiC û (0001) an (0001̅) ji bo 6H-SiC hene.

Serpêhatiya Rûyê: Pêvajoya rûkalê ya pêlavên SiC an substratê binirxînin.Pêdivî ye ku rûber xweş, paqijkirî, û ji qiş û gemaran bêpar be.

Navûdengê dabînker: Di hilberîna wafer û substratên SiC-ê yên qalîteya bilind de dabînkerek bi navûdeng û xwedî ezmûnek berfireh hilbijêrin.Faktorên wekî kapasîteyên hilberînê, kontrolkirina kalîteyê, û nirxandinên xerîdar bifikirin.

Mesref: Encamên lêçûnê, di nav de bihayê her wafer an substratê û her lêçûnên xwerû yên zêde bihesibînin.

Girîng e ku meriv van faktoran bi baldarî binirxîne û bi pisporên pîşesaziyê an dabînkeran re bişêwire da ku pê ewle bibe ku wafer û substratên bijartî yên SiC bi hewcedariyên serîlêdana weya taybetî bicîh tînin.