8inch 200mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N type Pola hilberandinê 500um stûriya

Mezinahî: 8inch;

Diameter: 200mm±0.2;

Stûrahî: 500um±25;

Orientation Rûvî: 4 ber bi [11-20]±0,5°;

Arasteya nêçîrê:[1-100]±1°；

Kûrahiya diranê: 1±0.25mm;

Micropipe: <1cm2;

Plateyên Hex: Ne Destûrdar e;

Berxwedan: 0,015~0,028Ω;

EPD:<8000cm2;

TED: <6000cm2

BPD: <2000cm2

TSD: <1000cm2

SF: herêm<1%

TTV≤15um;

Warp≤40um;

Bow≤25um;

Herêmên Poly: ≤5%;

Xizî: <5 û Dirêjiya Kumulatîf< 1 Diametera Waferê;

Çîp / Çîp: Tu kes destûrê nade D> 0.5mm Firehbûn û Kûrahî;

Cracks: None;

Req: tune

Kevirê wafer: Çemfer;

Serpêhatiya rûkê: Polish Side Double, Si Face CMP;

Pakkirin: Kaseta Pir-wafer An Konteynirê Waferê Yekane;

Zehmetiyên heyî di amadekirina krîstalên 200mm 4H-SiC de sereke

1) Amadekirina krîstalên tovê 200mm 4H-SiC-a-kalîteya bilind;

2) Qada germahiya mezin a ne-yekhevî û kontrolkirina pêvajoya nucleasyonê;

3) Karbidestiya veguhastinê û pêşkeftina pêkhateyên gazê di pergalên mezinbûna krîstal ên mezin de;

4) Pevçûn û belavbûna kêmasiya krîstal ji ber zêdebûna stresa germî ya mezin.

Ji bo derbaskirina van pirsgirêkan û bidestxistina 200mm SiC çareseriyên waferên bi kalîteya bilind têne pêşniyar kirin:

Di warê amadekirina krîstalê ya tovê 200 mm de, qada germahiya guncan a zeviyê, û meclîsa berbelavkirinê hatin lêkolîn û sêwirandin da ku li ser kalîteya krîstal û mezinbûna mezinbûnê were hesibandin;Bi krîstalek 150mm SiC se:d dest pê bikin, dubarekirina krîstala tovê pêk bînin da ku hêdî hêdî kristalbûna SiC-ê berfireh bikin heya ku bigihîje 200 mm;Bi mezinbûn û pêvajoyek pir krîstal re, hêdî hêdî qalîteya krîstalê li qada berbelavkirina krîstal xweştir bikin, û kalîteya krîstalên tovê 200 mm baştir bikin.

Di warê amadekirina krîstal û substratê ya 200 mm de, lêkolînê sêwirana zeviya germahiyê û herikînê ji bo mezinbûna krîstalê ya mezin xweştir kiriye, mezinbûna krîstalê ya 200 mm a rêgir, û yekrengiya dopingê kontrol dike.Piştî pêvajoyek hişk û şeklê kristalê, 8-inchelectrically conductive 4H-SiC ingot with a standard standard hat bidestxistin.Piştî birrîn, hûrkirin, paqijkirin, hilberandin ji bo bidestxistina waferên SiC 200mm bi qalindahiya 525um an zêdetir