6inch 150mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N type ji bo Lêkolîna Hilberîna MOS an SBD û pola Dummy

6inç 150mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N type ji bo Lêkolîna Hilberîna MOS an SBD û Pola Dummy Wêneyê Taybetmendî

Kurte Danasîn:

Substrata karbîd a silicon 6-inch yek-krîstal materyalek bi performansa bilind e ku xwedan taybetmendiyên fîzîkî û kîmyewî yên hêja ye.Ew ji materyalê yek-krîstalê karbîd a silicon-a paqij-paqijiya bilind hatî çêkirin, ew guheztina germî, aramiya mekanîkî, û berxwedana germahiya bilind nîşan dide.Ev substrate, ku bi pêvajoyên hilberîna rast û materyalên kalîteyê ve hatî çêkirin, ji bo çêkirina amûrên elektronîkî yên bikêrhatî di warên cihêreng de bûye materyalê bijarte.

E-nameyê ji me re bişînin

Detail Product

Tags Product

Qadên Serlêdanê

Substrata 6-inch silicon carbide single crystal di gelek pîşesaziyê de rolek girîng dilîze.Ya yekem, ew bi berfirehî di pîşesaziya nîvconductor de ji bo çêkirina amûrên elektronîkî yên bi hêz ên wekî transîstorên hêzê, şebekeyên yekbûyî, û modulên hêzê tê bikar anîn.Germahiya wê ya germî ya bilind û berxwedana germahiya bilind rê li ber belavbûna germê çêtir dike, ku di encamê de berberî û pêbaweriya çêtir dibe.Ya duyemîn, waferên silicon carbide di warên lêkolînê de ji bo pêşkeftina materyal û amûrên nû girîng in.Wekî din, wafera karbîd a silicon di warê optoelektronîkê de, di nav de çêkirina LED û dîodên lazer, serîlêdanên berfireh dibîne.

Specifications Product

Substrata yek-kristalê karbîd a silicon 6-inch xwedan pîvanek 6 inç e (nêzîkî 152,4 mm).Zehmetiya rûkê Ra <0,5 nm e, û qalindahî jî 600 ± 25 μm ye.Li ser bingeha daxwazên xerîdar, substrate dikare bi guheztina tîpa N an jî P-type were xweş kirin.Wekî din, ew îstîqrara mekanîkî ya awarte destnîşan dike, ku dikare li hember zext û vibrasyonê bisekinin.

Çap		150±2.0mm (6 inch)
Qewîtî		350 μm±25μm
Orientation		Li ser eksê: <0001>±0,5°		Jêder: 4,0° berbi 1120±0,5°
Polytype		4H
Berxwedan (Ω·cm)	4H-N	0,015~0,028 Ω·cm/0,015~0,025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
Arasteya daîre ya seretayî		{10-10}±5.0°
Dirêjahiya daîre ya seretayî (mm)		47,5 mm±2,5 mm
Qerax		Chamfer
TTV / Bow / Warp (um)		≤15 /≤40 /≤60
Eniya AFM (Si-rûyê)		Polonî Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
LTV		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
TTV		≤5μm	≤10μm		≤15μm
Pelên porteqalî / qul / şikestin / gemarî / lekeyên / kêşan		Netû	Netû		Netû
indents		Netû	Netû		Netû

Substrata karbîd a silicon 6-inch yek-krîstal materyalek bi performansa bilind e ku bi berfirehî di pîşesaziyên nîvconductor, lêkolîn, û optoelektronîkî de tê bikar anîn.Ew guheztina germî ya hêja, aramiya mekanîkî, û berxwedana germahiya bilind pêşkêşî dike, ku wê ji bo çêkirina amûrên elektronîkî yên bi hêz û lêkolîna materyalê ya nû guncan e.Em cûrbecûr taybetmendî û vebijarkên xwerû peyda dikin da ku daxwazên cihêreng ên xerîdar bicîh bînin.Ji bo bêtir hûrguliyên li ser wafers carbide silicon bi me re têkilî daynin!